发明授权
- 专利标题: 多次可编程的非易失性存储器单元
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申请号: CN201680050329.6申请日: 2016-08-26
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公开(公告)号: CN107924703B公开(公告)日: 2020-08-11
- 发明人: F·K·奥米德-佐霍尔 , N·D·比伊 , B·莱
- 申请人: 美国莱迪思半导体公司
- 申请人地址: 美国俄勒冈州
- 专利权人: 美国莱迪思半导体公司
- 当前专利权人: 美国莱迪思半导体公司
- 当前专利权人地址: 美国俄勒冈州
- 代理机构: 北京市金杜律师事务所
- 代理商 王茂华; 张宁
- 优先权: 62/212,686 2015.09.01 US
- 国际申请: PCT/US2016/049082 2016.08.26
- 国际公布: WO2017/040322 EN 2017.03.09
- 进入国家日期: 2018-02-28
- 主分类号: G11C17/16
- IPC分类号: G11C17/16 ; G11C17/18
摘要:
一种非易失性可编程位单元包括,具有与位线耦合的源极的读取使能器件,具有与第一写入线耦合的山脊的反熔丝器件,与电源电压耦合的漏极,以及与所述读取使能器件的漏极耦合的源极。位单元具有耦合在第二写入线和读取使能器件的漏极的熔丝器件。当使能读取使能器件用于读取时,在所述位线中流动的电流的幅度取决于(1)施加至第一写入线的电压电平和反熔丝器件状态以及(2)施加至得人写入线的电压电平和熔丝器件状态。应用包括在存储器阵列中,诸如用于FPGA配置存储器。位单元可以用作多次可编程元件,或用于存储多个位值。
公开/授权文献
- CN107924703A 多次可编程的非易失性存储器单元 公开/授权日:2018-04-17