- 专利标题: 一种降低高压直流分裂导线表面电场的导线配置方法及系统
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申请号: CN201711059955.4申请日: 2017-11-01
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公开(公告)号: CN108009312B公开(公告)日: 2022-12-02
- 发明人: 刘元庆 , 张喜润 , 陆家榆 , 李文昱 , 高晨光 , 白锋
- 申请人: 中国电力科学研究院有限公司 , 国家电网公司
- 申请人地址: 北京市海淀区清河小营东路15号;
- 专利权人: 中国电力科学研究院有限公司,国家电网公司
- 当前专利权人: 中国电力科学研究院有限公司,国家电网公司
- 当前专利权人地址: 北京市海淀区清河小营东路15号;
- 代理机构: 北京工信联合知识产权代理有限公司
- 代理商 郭一斐
- 主分类号: G06F30/20
- IPC分类号: G06F30/20 ; G06F30/23 ; H02G1/02 ; G06F113/16
摘要:
本发明公开了一种降低高压直流分裂导线表面电场的导线配置方法,所述方法包括:确定高压直流分裂导线中子导线的根数以及所述子导线的排列方式;选择所述分裂导线中表面场强最大的子导线和与之对称的子导线做为更大截面的子导线;预设所述更大截面的子导线的基础半径,并逐步增加所述基础半径,获取多个更大截面的子导线的半径;根据所述多个大截面的子导线的半径,建立对应的双极导线模拟线路的物理模型;根据所述物理模型,计算所述分裂导线中子导线最大表面场强的最大值和和最小值;计算所述分裂导线中最大表面场强的最大值与最小值的比值,所述比值最小时对应的所述更大截面的子导线的半径,做为所述子导线中配置的更大截面的子导线的半径。
公开/授权文献
- CN108009312A 一种降低高压直流分裂导线表面电场的导线配置方法及系统 公开/授权日:2018-05-08