发明授权
- 专利标题: 半导体层的制备方法
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申请号: CN201610943257.X申请日: 2016-10-31
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公开(公告)号: CN108017048B公开(公告)日: 2020-01-07
- 发明人: 李东琦 , 魏洋 , 姜开利 , 范守善
- 申请人: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
- 申请人地址: 北京市海淀区清华大学清华-富士康纳米科技研究中心401室
- 专利权人: 清华大学,鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
- 当前专利权人: 清华大学,鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
- 当前专利权人地址: 北京市海淀区清华大学清华-富士康纳米科技研究中心401室
- 主分类号: C01B32/158
- IPC分类号: C01B32/158 ; H01L21/02
摘要:
一种半导体层的制备方法,其包括以下步骤:提供一导电基底,该导电基底上设置一层绝缘层;在所述绝缘层上设置一碳纳米管结构;将碳纳米管结构放置在扫描电镜下,调整扫描电镜的加速电压为5~20千伏,驻留时间为6~20微秒,放大倍数为1万~10万倍,采用扫描电镜对所述碳纳米管结构拍摄照片;获得碳纳米管结构的照片,照片中碳纳米管分布在衬底上,比衬底颜色浅的碳纳米管为金属型碳纳米管,比衬底颜色深的碳纳米管为半导体型碳纳米管;按照和照片相同的比例,在实物上相同的位置对金属型的碳纳米管进行标识,并除去金属型碳纳米管。
公开/授权文献
- CN108017048A 半导体层的制备方法 公开/授权日:2018-05-11