半导体层的制备方法
摘要:
一种半导体层的制备方法,其包括以下步骤:提供一导电基底,该导电基底上设置一层绝缘层;在所述绝缘层上设置一碳纳米管结构;将碳纳米管结构放置在扫描电镜下,调整扫描电镜的加速电压为5~20千伏,驻留时间为6~20微秒,放大倍数为1万~10万倍,采用扫描电镜对所述碳纳米管结构拍摄照片;获得碳纳米管结构的照片,照片中碳纳米管分布在衬底上,比衬底颜色浅的碳纳米管为金属型碳纳米管,比衬底颜色深的碳纳米管为半导体型碳纳米管;按照和照片相同的比例,在实物上相同的位置对金属型的碳纳米管进行标识,并除去金属型碳纳米管。
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