发明授权
- 专利标题: 通过局部电位测量进行的纳米孔感测
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申请号: CN201810026232.2申请日: 2011-04-29
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公开(公告)号: CN108051578B公开(公告)日: 2020-07-24
- 发明人: C.M.利伯 , P.谢
- 申请人: 哈佛大学校长及研究员协会
- 申请人地址: 美国马萨诸塞州
- 专利权人: 哈佛大学校长及研究员协会
- 当前专利权人: 哈佛大学校长及研究员协会
- 当前专利权人地址: 美国马萨诸塞州
- 代理机构: 中国专利代理(香港)有限公司
- 代理商 马蔚钧; 黄希贵
- 优先权: 61/471345 2011.04.04 US
- 主分类号: G01N33/487
- IPC分类号: G01N33/487 ; G01N27/447 ; C12Q1/6869 ; B82Y30/00 ; B82Y15/00
摘要:
本发明涉及通过局部电位测量进行的纳米孔感测,其中提供了设置在支撑结构中的纳米孔,具有在第一流体储存器与纳米孔入口之间的流体连接和在第二流体储存器与纳米孔出口之间的第二流体连接。第一缓冲浓度的第一离子溶液设置在第一储存器中,不同于第一浓度的第二缓冲浓度的第二离子溶液设置在第二储存器中,纳米孔提供了第一与第二储存器之间的唯一流体连通路径。在纳米孔传感器中的位置上设置有电连接,其在目标物移位通过两个储存器之间的纳米孔时产生表示局部到纳米孔传感器中的至少一个位点的电位的电信号。
公开/授权文献
- CN108051578A 通过局部电位测量进行的纳米孔感测 公开/授权日:2018-05-18