- 专利标题: 基于杂化LKMC和OKMC模拟纳米结构核材料辐照损伤的方法
- 专利标题(英): Method for simulating irradiation damage of nanostructure nuclear material based on hybrid LKMC and OKMC
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申请号: CN201711352184.8申请日: 2017-12-15
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公开(公告)号: CN108090279A公开(公告)日: 2018-05-29
- 发明人: 李祥艳 , 许依春 , 张艳革 , 孙静静 , 郝丛宇 , 尤玉伟 , 孔祥山 , 刘伟 , 吴学邦 , 刘长松 , 方前锋
- 申请人: 中国科学院合肥物质科学研究院
- 申请人地址: 安徽省合肥市科学岛
- 专利权人: 中国科学院合肥物质科学研究院
- 当前专利权人: 中国科学院合肥物质科学研究院
- 当前专利权人地址: 安徽省合肥市科学岛
- 主分类号: G06F17/50
- IPC分类号: G06F17/50
摘要:
本发明公开了一种基于杂化LKMC和OKMC模拟纳米结构核材料辐照损伤的方法,包括以下步骤:建立OKMC区域事件速率表格;对于给定的界面,确定LKMC区域半径;建立LKMC格点与缺陷态之间的映射;建立LKMC区域不同缺陷态之间跃迁速率表格;扩大计算模型内速率表格;建立OKMC与LKMC过渡区域速率表格并进行速率处理;建立LKMC区域缺陷团簇事件速率表格并进行速率处理;对于不同区域的事件,调用相应的速率,选择、执行事件。本发明通过杂化LKMC和OKMC方法,对晶界不同区域采用对缺陷性质具有不同分辨率的计算方法,能够实现复杂界面结构处缺陷行为准确模拟,同现有的模拟方法相比,兼顾了模拟精度和模拟的时间、空间尺度,降低了粗粒化建模缺陷-晶界作用时提取作用参数的难度。
公开/授权文献
- CN108090279B 基于杂化LKMC和OKMC模拟纳米结构核材料辐照损伤的方法 公开/授权日:2021-01-08