互连结构的制造方法
Abstract:
本发明公开了一种互连结构的制造方法,涉及半导体技术领域。所述方法包括:提供衬底结构,所述衬底结构包括衬底和在所述衬底上的电介质层,所述电介质层具有延伸到所述衬底的开口;在所述电介质层的至少一部分之上形成掩模层;沉积金属层,以填充所述开口并覆盖所述电介质层未被所述掩模层覆盖的区域;去除所述掩模层;执行平坦化工艺,以使得剩余的金属层的上表面与所述电介质层的上表面基本齐平。本发明能够改善在制造互连结构时衬底翘曲的问题。
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