本发明涉及集成光波导三维电场传感器，属电场测量领域。本发明包括集成光波导一维电场传感器：在一片铌酸锂晶片表面使用质子交换方法制作一个两端为Y形光波导，中间为平行光波导构成的M‑Z光波导干涉仪，在中间某一直波导臂两侧制作两片与直波导平行的金属电极，并制作与金属电极垂直相连接的金属偶极子天线；集成光波导二维电场传感器：通过在一片铌酸锂晶片表面采用质子交换方法形成一个Y形光波导，其中Y形光波导的两个波导臂为两个M‑Z光波导结构；在这两个M‑Z光波导干涉仪的直波导臂两侧制作金属电极和天线，并且使制作在两个M‑Z光波导干涉仪上的天线互相垂直。本发明体积小、空间分辨率高、对被测电场的干扰小。