一种互连结构及其形成方法，其中形成方法包括：提供基底；在所述基底上形成介质层；在所述介质层内形成导电结构；在所述导电结构和所述介质层上形成盖帽层，所述盖帽层为Si掺杂的盖帽层；对所述导电结构和所述盖帽层进行退火处理。本发明技术方案中，所述盖帽层为Si掺杂的盖帽层。所述盖帽层中的Si原子，能够与导电结构的材料反应成键，从而提高所述盖帽层和所述导电结构之间的连接强度，有利于抑制所形成互连结构的电迁移，有利于提高所形成互连结构的可靠性。