高电子迁移率晶体管器件

发明公开

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专利标题： 高电子迁移率晶体管器件
申请号： CN201711261540.5

申请日： 2017-12-04
公开(公告)号： CN108155232A

公开(公告)日： 2018-06-12
发明人: 艾曼·谢比卜 , 凯尔·特里尔
申请人： 维西埃-硅化物公司
申请人地址： 美国加利福尼亚州
专利权人： 维西埃-硅化物公司
当前专利权人： 维西埃-硅化物公司
当前专利权人地址： 美国加利福尼亚州
代理机构： 北京市磐华律师事务所
代理商 高伟; 娄晓丹
优先权： 62/429,627 2016.12.02 US
主分类号： H01L29/778
IPC分类号： H01L29/778 ; H01L21/336

摘要：

本发明公开了高电子迁移率晶体管器件。一种器件包括第一高电子迁移率晶体管(HEMT)和第二HEMT。第一HEMT包括第一栅极、耦合到第一栅极的源极以及耦合到第一栅极的漏极。第二HEMT包括耦合到源极和漏极的第二栅极。第二HEMT具有比第一HEMT更低的阈值电压。

摘要（英）：

An electronic device includes a first field effect transistor (FET) comprising a layer comprising gallium and a first gate (131), and a second FET comprising the layer comprising gallium and a second gate (132), wherein the first FET and the second FET are coupled to a same source (142) and to a same drain (140), and wherein the second FET has a lower threshold voltage than the first FET.

公开/授权文献

CN108155232B 高电子迁移率晶体管器件公开/授权日：2022-02-08

信息查询

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IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L29/00	专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件（H01L31/00至H01L47/00，H01L51/05优先；除半导体或其电极之外的零部件入H01L23/00；由在一个共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L27/00）
H01L29/66	.按半导体器件的类型区分的
H01L29/68	..只能通过对一个不通有待整流、放大或切换的电流的电极供给电流或施加电位方可进行控制的（H01L29/96优先）
H01L29/76	...单极器件
H01L29/772	....场效应晶体管
H01L29/778	.....带有二维载流子气沟道的，如HEMT