发明公开
- 专利标题: 一种用于磁控溅射的以气体为掺杂源的供气装置
- 专利标题(英): Gas supply device used for magnetron sputtering and adopting gas as doping source
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申请号: CN201711456534.5申请日: 2017-12-28
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公开(公告)号: CN108165942A公开(公告)日: 2018-06-15
- 发明人: 沈洪雪 , 王天齐 , 金克武 , 姚婷婷 , 杨勇 , 李刚
- 申请人: 中建材蚌埠玻璃工业设计研究院有限公司
- 申请人地址: 安徽省蚌埠市禹会区涂山路1047号
- 专利权人: 中建材蚌埠玻璃工业设计研究院有限公司
- 当前专利权人: 中建材蚌埠玻璃工业设计研究院有限公司
- 当前专利权人地址: 安徽省蚌埠市禹会区涂山路1047号
- 代理机构: 安徽省蚌埠博源专利商标事务所
- 代理商 尹杰
- 主分类号: C23C14/35
- IPC分类号: C23C14/35
摘要:
本发明涉及一种用于磁控溅射的以气体为掺杂源的供气装置,包括供气环(1),在供气环(1)的内壁(2)上均布一组出气孔(3),在供气环(1)内设有环形腔体,在每个出气孔(3)均与环形腔体连通,在供气环(1)上还连接进气管(4),进气管(4)连接环形腔体,在供气环(1)上还连接吊耳(5)。本发明的优点:本装置克服了现有供气系统中气体分布不均匀,离化程度不高,掺杂量达不到目标值以及不能进行定量分析等缺陷,有效促进掺杂气体源进行离子化,提高了气体的利用率,提高掺杂量,达到有效进行掺杂完成镀膜的目的,同时还能精准进行定量分析,为多元素掺杂磁控溅射的进一步研究开发提供了一个更好的精确方案。
IPC分类: