- 专利标题： 一种半导体器件的压力均衡制作参数优化方法及制作方法
- 专利标题（英）： Pressure balance production parameter optimization method and production method for semiconductor device
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申请号： CN201711432765.2申请日： 2017-12-26
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公开(公告)号： CN108170944A公开(公告)日： 2018-06-15
- 发明人: 林仲康 , 田丽纷 , 韩荣刚 , 石浩 , 张朋 , 李现兵 , 张喆 , 武伟 , 唐新灵 , 王亮
- 申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 , 国网山东省电力公司电力科学研究院 , 国家电网公司
- 申请人地址： 北京市昌平区未来科技城滨河大道18号; ;
- 专利权人： 全球能源互联网研究院有限公司,国网山东省电力公司电力科学研究院,国家电网公司
- 当前专利权人： 全球能源互联网研究院有限公司,国网山东省电力公司电力科学研究院,国家电网有限公司
- 当前专利权人地址： 北京市昌平区未来科技城滨河大道18号; ;
- 代理机构： 北京三聚阳光知识产权代理有限公司
- 代理商 李博洋
- 主分类号： G06F17/50
- IPC分类号： G06F17/50
摘要：
本发明实施例提供了一种半导体器件的压力均衡制作参数优化方法及制作方法，该半导体器件的压力均衡制作参数优化方法包括：根据并联多芯片子模组的外轮廓确定半导体器件的电极盖板的形状，根据半导体器件参数建立半导体器件的有限元模型，并对有限元模型进行有限元分析，从而得到有限元分析结果，然后根据半导体器件的电极盖板的形状及有限元分析结果，确定半导体器件的制作参数。根据本发明实施例提供的半导体器件的压力均衡制作参数优化方法得到制作参数，利用该制作参数制作半导体器件，实现了半导体器件的压力均衡，提高了半导体器件的电气特性和可靠性。
公开/授权文献
- CN108170944B 一种半导体器件的压力均衡制作参数优化方法及制作方法 公开/授权日：2021-07-30
