本发明提供一种增大氮化硅介质槽倾斜角度的T型栅制作方法，包括如下步骤：S1、在晶体管表面生长Si3N4介质层；S2、在Si3N4介质层上均匀涂抹高光感正胶并进行前烘；S3、采用步进式曝光方式对高光感正胶进行曝光并经显影形成刻蚀窗口；S4、对高光感正胶进行烘烤，形成侧壁倾斜的刻蚀窗口；S5、在ICP‑RIE中使用CF4和O2从侧壁倾斜的刻蚀窗口刻蚀Si3N4介质层形成氮化硅介质槽，随后去除高光感正胶；射频功率设置为50‑80W，偏置功率设置为8‑12W，腔体压力为3‑5mT，CF4与O2的比例为5:1‑8:1，刻蚀速率为20‑30nm/min，刻蚀时间5‑8min，过刻蚀不超过20％；S6、在晶体管表面均匀涂抹负胶，对负胶进行光刻形成栅帽线条；S7、蒸发栅金属并剥离形成T型栅。本发明能有效提升器件击穿电压和可靠性。