- 专利标题: 辐照底层器件获取电子系统单粒子效应敏感性的评价方法
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申请号: CN201711375663.1申请日: 2017-12-19
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公开(公告)号: CN108181524B公开(公告)日: 2020-10-09
- 发明人: 丁李利 , 陈伟 , 郭晓强 , 张凤祁 , 王坦 , 潘霄宇 , 徐娜军 , 李斌
- 申请人: 西北核技术研究所
- 申请人地址: 陕西省西安市灞桥区平峪路28号
- 专利权人: 西北核技术研究所
- 当前专利权人: 西北核技术研究所
- 当前专利权人地址: 陕西省西安市灞桥区平峪路28号
- 代理机构: 西安智邦专利商标代理有限公司
- 代理商 杨引雪
- 主分类号: G01R31/00
- IPC分类号: G01R31/00 ; G06F30/398
摘要:
本发明提供了一种辐照底层器件获取电子系统单粒子效应敏感性的评价方法,充分考虑到电子系统与底层器件失效判据不同的实际状况,通过逐一辐照电子系统中底层器件并进行概率合成以评价整个电子系统单粒子效应敏感性,解决了现有系统级单粒子效应敏感性评价方法未考虑底层器件与电子系统明显失效判据不同以及单粒子防护措施多样性的技术问题。
公开/授权文献
- CN108181524A 辐照底层器件获取电子系统单粒子效应敏感性的评价方法 公开/授权日:2018-06-19