发明授权
- 专利标题： 一种门极换流晶闸管及其制备方法
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申请号： CN201611205266.5申请日： 2016-12-23
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公开(公告)号： CN108242465B公开(公告)日： 2020-07-03
- 发明人: 陈勇民 , 颜骥 , 陈芳林 , 邱凯兵 , 蒋谊 , 郭润庆
- 申请人： 株洲中车时代电气股份有限公司
- 申请人地址： 湖南省株洲市石峰区时代路169号
- 专利权人： 株洲中车时代电气股份有限公司
- 当前专利权人： 株洲中车时代半导体有限公司
- 当前专利权人地址： 湖南省株洲市石峰区时代路169号
- 代理机构： 北京聿华联合知识产权代理有限公司
- 代理商 朱绘; 张文娟
- 主分类号： H01L29/745
- IPC分类号： H01L29/745 ; H01L29/10 ; H01L21/332
摘要：
本发明公开了一种门极换流晶闸管及其制备方法。本发明的晶闸管的层状结构竖直方向自下而上依次为P+透明发射阳极、N′缓冲层、N‑基区、P基区、P+基区以及半埋于P+基区顶部的N+发射区，其中：所述N+发射区覆盖所述P+基区顶部的一部分；门极G位于所述P+基区顶部所述N+发射区没有覆盖的部分上；所述P+基区包含水平并排的P1+短基区以及P2+短基区，其中，所述P1+短基区位于所述门极G正下方，所述P2+短基区位于所述N+发射区正下方，所述P1+短基区的掺杂浓度低于所述P2+短基区的掺杂浓度。相较于现有技术，本发明不仅提高GCT关断电流能力，并降低关断能量；而且降低了GCT触发电流，保持了GCT低通态压降的优势。
公开/授权文献
- CN108242465A 一种门极换流晶闸管及其制备方法 公开/授权日：2018-07-03
IPC分类:
