发明公开
CN108267348A IC产品截面的纳米级高精度制备方法
无效 - 驳回
- 专利标题: IC产品截面的纳米级高精度制备方法
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申请号: CN201711479741.2申请日: 2017-12-29
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公开(公告)号: CN108267348A公开(公告)日: 2018-07-10
- 发明人: 乔彦彬 , 李建强 , 陈燕宁 , 邵瑾 , 赵扬 , 刘亮 , 马强 , 窦海啸 , 杨苗苗 , 张萌
- 申请人: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国家电网有限公司
- 申请人地址: 北京市海淀区西小口路66号中关村东升科技园A区3号楼
- 专利权人: 北京智芯微电子科技有限公司,国网信息通信产业集团有限公司,国家电网有限公司
- 当前专利权人: 北京智芯微电子科技有限公司,国网信息通信产业集团有限公司,国家电网有限公司
- 当前专利权人地址: 北京市海淀区西小口路66号中关村东升科技园A区3号楼
- 代理机构: 北京中誉威圣知识产权代理有限公司
- 代理商 李晓康; 俞佳
- 主分类号: G01N1/28
- IPC分类号: G01N1/28 ; B82B3/00 ; B82Y40/00
摘要:
本发明公开了一种IC产品的样品截面的纳米级高精度制备方法,包括如下步骤:S1.将所述IC产品的样品注塑或者粘贴在陪片上,得到待研磨样品,对待研磨样品进行初步观察,并对待测区域进行标记;S2.采用粗砂纸对待研磨样品进行粗磨处理,得到粗磨样品;S3.确认粗磨样品的最终研磨位置和样品状态;S4.若样品状态不符合试验需求,则采用细砂纸对粗磨样品进行精磨处理;S5.对符合试验需求的细磨样品或粗磨样品进行清洗、吹干处理,得到待FIB处理样品;S6.将待FIB处理样品放置于FIB样品室中,调整FIB设备的样品台高度和旋转角度;S7.调整FIB设备的电压和电流参数进行截面精修处理,完成样品截面制备。本发明的制备方法效率高,精度高,截面样品辨识度可达纳米级。