本发明公开了一种ESD器件结构，包括：第一P‑LDMOS、第二P‑LDMOS和寄生SCR；所述第一P‑LDMOS和第二P‑LDMOS共用高压P阱(HVPW)，在第一P‑LDMOS漏极和第二P‑LDMOS漏极之间的高压P阱(HVPW)中设置N+区域形成的寄生SCR，所述第一P‑LDMOS和第二P‑LDMOS结构相同，以寄生SCR的N+区域为中心形成左右非对称结构。本发明能提高器件开启后的ESD能力，又能提高器件维持电压和电流，减小ESD器件的latch‑up风险的。