• 专利标题: 低相移高频衰减器
  • 申请号: CN201680070791.2
    申请日: 2016-09-30
  • 公开(公告)号: CN108292911B
    公开(公告)日: 2021-12-31
  • 发明人: 维卡斯·夏尔马
  • 申请人: 派赛公司
  • 申请人地址: 美国加利福尼亚州
  • 专利权人: 派赛公司
  • 当前专利权人: 派赛公司
  • 当前专利权人地址: 美国加利福尼亚州
  • 代理机构: 北京集佳知识产权代理有限公司
  • 代理商 杨铁成; 杨林森
  • 优先权: 14/958,809 20151203 US
  • 国际申请: PCT/US2016/054929 2016.09.30
  • 国际公布: WO2017/095519 EN 2017.06.08
  • 进入国家日期: 2018-06-01
  • 主分类号: H03H7/24
  • IPC分类号: H03H7/24 H01P1/22 H03H11/24
低相移高频衰减器
摘要:
一种宽带RF衰减器电路,当其在衰减状态与非衰减参考状态或旁路状态之间切换时,对施加的信号的相位的影响降低。通过利用在每个信号路径具有多个分布式传输线元件的切换式信号路径衰减器拓扑结构来提供宽带操作、分散寄生影响并改善隔离以在更高频率处实现更高的衰减并且同时仍保持低相移操作特性,可以实现高RF频率处的低相移衰减。在替选实施方式中,可以通过在每个信号路径的信号接口处利用四分之一波长传输线元件以从而改善插入损耗和功率处理,来实现向甚至更高频率的扩展。
公开/授权文献
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