- 专利标题: 一种用于自均压式多断口真空断路器的真空灭弧室
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申请号: CN201810337488.5申请日: 2018-04-12
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公开(公告)号: CN108321000B公开(公告)日: 2024-01-02
- 发明人: 廖敏夫 , 卢刚 , 段雄英 , 张豪 , 张晓莉 , 黄智慧 , 邹积岩
- 申请人: 大连理工大学
- 申请人地址: 辽宁省大连市甘井子区凌工路2号
- 专利权人: 大连理工大学
- 当前专利权人: 大连理工大学
- 当前专利权人地址: 辽宁省大连市甘井子区凌工路2号
- 代理机构: 大连理工大学专利中心
- 代理商 梅洪玉
- 主分类号: H01H33/664
- IPC分类号: H01H33/664 ; H01H33/662 ; C04B35/10 ; C04B35/468
摘要:
本发明属于高压真空开关领域,涉及一种用于自均压式多断口真空断路器的真空灭弧室,真空灭弧室包括上端盖、静触头、BST陶瓷壳、屏蔽罩、动触头、波纹管屏蔽罩、波纹管和下端盖。所述的BST陶瓷壳为柱状中空结构,上端盖和下端盖分别与BST陶瓷壳上下两端密闭连接,构成真空密闭空间;所述的屏蔽罩置于BST陶瓷壳内,静触头与上端盖的下端面连接;动触头的下端轴穿透下端盖,其下端轴上套有与下端盖连接的波纹管。本发明基于这种自均压式真空灭弧室构成的多断口真空断路器,可以在无均压电容的条件下,实现各个断口之间电压均匀分布,提高了多断口真空断路器的开断能力。这种自均压式多断口真空断路器用真空灭弧室结构简单,便于实现。
公开/授权文献
- CN108321000A 一种用于自均压式多断口真空断路器的真空灭弧室 公开/授权日:2018-07-24