Invention Grant
- Patent Title: 一种宽频连续太赫兹辐射源以及对应的激发方法
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Application No.: CN201810143058.XApplication Date: 2018-02-11
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Publication No.: CN108321663BPublication Date: 2019-10-01
- Inventor: 于川 , 刘洪云 , 于文学 , 杨小誉
- Applicant: 成都清大华科微晶材料有限责任公司
- Applicant Address: 四川省成都市龙泉驿区大面镇群益街
- Assignee: 成都清大华科微晶材料有限责任公司
- Current Assignee: 成都清大华科微晶材料有限责任公司
- Current Assignee Address: 四川省成都市龙泉驿区大面镇群益街
- Agency: 四川力久律师事务所
- Agent 韩洋; 陈明龙
- Main IPC: H01S1/02
- IPC: H01S1/02
Abstract:
本发明涉及太赫兹波领域,特别是一种宽频连续太赫兹辐射源,其包括:激发体;反射体,所述反射体设置在所述激发体一侧;晶体,所述晶体设置在所述激发体的与所述反射体相对的一侧,所述激发体、反射体和晶体的配合满足:对激发体供能使其启动后,最终从晶体的外表面输出波长处于30u‑1000u范围内的且波形连续无断裂的太赫兹波,本发明的发明目的在于提供一种能够产生宽频连续30u‑1000u太赫兹波的太赫兹辐射源,以及公开了对应的产生所述太赫兹波的方法。
Public/Granted literature
- CN108321663A 一种宽频连续太赫兹辐射源以及对应的激发方法 Public/Granted day:2018-07-24
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