发明授权
- 专利标题: 一种有序多孔TC4合金的制备方法
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申请号: CN201810182513.7申请日: 2018-03-06
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公开(公告)号: CN108359828B公开(公告)日: 2020-01-10
- 发明人: 张家敏 , 王静哲 , 易健宏 , 甘国友 , 刘意春 , 李凤仙 , 谈松林 , 杨军 , 杜立辉 , 杨开雄
- 申请人: 昆明理工大学
- 申请人地址: 云南省昆明市五华区学府路253号
- 专利权人: 昆明理工大学
- 当前专利权人: 昆明理工大学
- 当前专利权人地址: 云南省昆明市五华区学府路253号
- 主分类号: B22F3/14
- IPC分类号: B22F3/14 ; C22C1/08 ; C22C14/00
摘要:
本发明公开一种有序多孔TC4合金的制备方法,将TiH2粉末、Al‑V合金粉末按TC4合金标准成分比例混合得到混合粉末,加入模板剂丙酮溶液,进行高能球磨,然后进行真空热压烧结,最终得到有序多孔TC4合金;本发明加入模板剂及TiH2粉末可以在烧结过程中形成有序多孔,脱氢过程中,TiH2释放出的氢可以有效清洁合金内部孔隙及合金表面,不仅保证了生产产品的优良性能,而且有效缩短了产品的生产流程,合理改造优化了钛合金的孔隙形貌。
公开/授权文献
- CN108359828A 一种有序多孔TC4合金的制备方法 公开/授权日:2018-08-03