- 专利标题: 针对电荷型SAR-ADC寄生电容的校准方法
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申请号: CN201711483390.2申请日: 2017-12-29
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公开(公告)号: CN108365847B公开(公告)日: 2020-09-01
- 发明人: 杨小坤 , 张海峰 , 原义栋 , 胡毅 , 何洋 , 李振国 , 靳嘉桢
- 申请人: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国家电网有限公司
- 申请人地址: 北京市海淀区西小口路66号中关村东升科技园A区3号楼
- 专利权人: 北京智芯微电子科技有限公司,国网信息通信产业集团有限公司,国家电网有限公司
- 当前专利权人: 北京智芯微电子科技有限公司,国网信息通信产业集团有限公司,国家电网有限公司
- 当前专利权人地址: 北京市海淀区西小口路66号中关村东升科技园A区3号楼
- 代理机构: 北京润平知识产权代理有限公司
- 代理商 王崇
- 主分类号: H03M1/14
- IPC分类号: H03M1/14
摘要:
本发明公开了一种针对电荷型SAR‑ADC寄生电容的校准方法,所述电荷型SAR‑ADC包括LSB电容阵列,将LSB电容阵列的所有上极板与第一补偿电路的一端相连,第一补偿电路的另一端接任意恒定电位,第一补偿电路由第一固定电容Cdl和第一可调电容Cdl'并联组成,通过调节第一补偿电路来调节SAR‑ADC的非线性误差。LSB电容阵列中单位电容值为Cu,共L位,从低位到高位分别以2倍的关系递增,最高位电容值为2L‑1Cu。当LSB电容阵列的总电容值为CLt时,则如下关系式成立:CLt=(2L‑1)·Cu+Cdl+Cdl'。所述针对电荷型SAR‑ADC寄生电容的校准方法能达到很高的线性和增益的调节精度,特别适合高精度ADC的设计。
公开/授权文献
- CN108365847A 针对电荷型SAR-ADC寄生电容的校准方法 公开/授权日:2018-08-03
IPC分类: