- 专利标题: 一种利用原位溅射结合离子束刻蚀的抛光装置及抛光方法
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申请号: CN201810297952.2申请日: 2018-04-04
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公开(公告)号: CN108385110B公开(公告)日: 2019-07-12
- 发明人: 刘卫国 , 周顺 , 葛少博 , 王泉 , 惠迎雪 , 蔡长龙 , 陈智利 , 秦文罡 , 刘欢
- 申请人: 西安工业大学
- 申请人地址: 陕西省西安市未央区学府中路2号
- 专利权人: 西安工业大学
- 当前专利权人: 西安工业大学
- 当前专利权人地址: 陕西省西安市未央区学府中路2号
- 代理机构: 西安新思维专利商标事务所有限公司
- 代理商 黄秦芳
- 主分类号: C23C14/46
- IPC分类号: C23C14/46
摘要:
本发明涉及离子束技术领域,具体涉及一种利用原位溅射结合离子束刻蚀的抛光装置及抛光方法。其包括传递室、刻蚀室、溅射沉积室以及设于传递室与刻蚀室,刻蚀室与溅射沉积室之间的插板阀,传递室、刻蚀室和溅射沉积室内设有三者之间传送工件的工件传送装置。以及应用此设备发明的一种抛光方法,其流程为:首先在传递室装载工件,其次在刻蚀室对工件离子束清洗,再次在溅射沉积室对工件溅射沉积一层薄膜层(牺牲层),进而在刻蚀室对工件进行离子束修正抛光,最后通过传递室取出工件,实现光学元件的抛光。
公开/授权文献
- CN108385110A 一种利用原位溅射结合离子束刻蚀的抛光装置及抛光方法 公开/授权日:2018-08-10
IPC分类: