摘要:
本发明公开了一种制备集成共路干涉电场传感器的最优光学偏置点筛选方法,属于光学电场传感器技术领域。该方法先根据静态偏置点随光波波长及光波导预扩散宽度的分布曲线,在制造集成共路干涉电场传感器所需的晶片单元上,设置N条具有不同预扩散宽度的平行光波导,并在常用光源波段中选取M条具有不同波长的光波;然后将设置的N条光波导的预扩散宽度值和选取的M条光波的波长值两两相乘进行组合,筛选出最接近90°的光学偏置点作为最优光学偏置点,并确定该最优光学偏置点所在的光波导;最后根据筛选出的所述晶片单元上具有最优光学偏置点的光波导,制造集成共路干涉电场传感器。本发明能够降低光波导设计和测试的复杂度,提高晶片的利用率。
公开/授权文献
- CN108387788A 制备集成共路干涉电场传感器的最优光学偏置点筛选方法 公开/授权日:2018-08-10