发明授权
- 专利标题: 一种复压式PTC自恢复保险装置的制备方法
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申请号: CN201810075521.1申请日: 2018-01-26
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公开(公告)号: CN108389669B公开(公告)日: 2019-08-20
- 发明人: 刘美驿 , 符林祥
- 申请人: 上海神沃电子有限公司
- 申请人地址: 上海市闵行区金都路1165弄123号4号楼
- 专利权人: 上海神沃电子有限公司
- 当前专利权人: 上海科特新材料股份有限公司,上海神沃电子有限公司
- 当前专利权人地址: 201602 上海市松江区佘山镇成业路180号1幢A区
- 代理机构: 上海光华专利事务所
- 代理商 金彦; 许亦琳
- 主分类号: H01C17/00
- IPC分类号: H01C17/00 ; H01C7/02
摘要:
本发明提供一种复压式PTC自恢复保险装置的制备方法,包括如下步骤:1)在芯板上冲切第一U形通槽;2)在上表面覆盖第一上绝缘膜和第一上电极箔,在下表面覆盖第一下绝缘膜和第一下电极箔,压合,去除电极箔;3)在芯板上冲切与第一U形通槽镜像的第二U形通槽;在上表面覆盖第二上绝缘膜和第二上电极箔,在下表面覆盖第二下绝缘膜和第二下电极箔,压合;4)在芯板对应第一和第二U形通槽的表面蚀刻划切线;在上表面打孔至第二上电极箔的上表面并用导电金属填满;在下表面打孔至第二下电极箔的下表面并用导电金属填满;沿划切线切割,得到所述保险装置。该制备方法制得的保险装置电阻一致性佳,废品率低,稳定性高,久置电阻波动性小。
公开/授权文献
- CN108389669A 一种复压式PTC自恢复保险装置的制备方法 公开/授权日:2018-08-10