一种片状硼掺杂多孔硅电极材料及其制备方法
摘要:
本发明公开了一种片状硼掺杂多孔硅电极材料的制备方法,步骤为:(1)将硼掺杂的P型硅碎屑用无机酸浸泡6-24h,然后经洗涤、干燥处理,得到硼掺杂的硅粉;(2)将硼掺杂的硅粉与镁粉按摩尔比1:(1-2.5)混合均匀,得到混合料,将混合料在惰性气氛下进行热处理,生成Mg2Si粉末;(3)将Mg2Si粉末在400-850℃下高温氧化,得到反应产物,将反应产物先用无机酸进行浸泡,再用HF溶液清洗,洗涤、干燥后即得片状硼掺杂多孔硅电极材料。制备的片状硼掺杂多孔硅电极材料的粒径为0.2-5μm,比表面积为10-100m2/g,孔径为20-70nm。该片状硼掺杂多孔硅电极材料具有良好的循环稳定性和高比容量。
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