- 专利标题: 一种片状硼掺杂多孔硅电极材料及其制备方法
- 专利标题(英): Sheet-shaped boron-doped porous silicon electrode material and preparation method thereof
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申请号: CN201810063797.8申请日: 2018-01-23
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公开(公告)号: CN108390053A公开(公告)日: 2018-08-10
- 发明人: 窦晓勇 , 宰建陶 , 钱雪峰 , 海国栋 , 戚嵘嵘 , 杨鹏 , 陈明 , 喻宏兴 , 陈茜茹 , 李波 , 刘雪娇 , 付雷雨 , 白荣光
- 申请人: 中国平煤神马能源化工集团有限责任公司 , 上海交通大学 , 河南中平瀚博新能源有限责任公司
- 申请人地址: 河南省平顶山市矿工中路21号院
- 专利权人: 中国平煤神马能源化工集团有限责任公司,上海交通大学,河南中平瀚博新能源有限责任公司
- 当前专利权人: 中国平煤神马能源化工集团有限责任公司,上海交通大学,河南中平瀚博新能源有限责任公司
- 当前专利权人地址: 河南省平顶山市矿工中路21号院
- 代理机构: 郑州大通专利商标代理有限公司
- 代理商 陈勇
- 主分类号: H01M4/38
- IPC分类号: H01M4/38 ; H01M10/0525 ; C01B33/02
摘要:
本发明公开了一种片状硼掺杂多孔硅电极材料的制备方法,步骤为:(1)将硼掺杂的P型硅碎屑用无机酸浸泡6-24h,然后经洗涤、干燥处理,得到硼掺杂的硅粉;(2)将硼掺杂的硅粉与镁粉按摩尔比1:(1-2.5)混合均匀,得到混合料,将混合料在惰性气氛下进行热处理,生成Mg2Si粉末;(3)将Mg2Si粉末在400-850℃下高温氧化,得到反应产物,将反应产物先用无机酸进行浸泡,再用HF溶液清洗,洗涤、干燥后即得片状硼掺杂多孔硅电极材料。制备的片状硼掺杂多孔硅电极材料的粒径为0.2-5μm,比表面积为10-100m2/g,孔径为20-70nm。该片状硼掺杂多孔硅电极材料具有良好的循环稳定性和高比容量。
公开/授权文献
- CN108390053B 一种片状硼掺杂多孔硅电极材料及其制备方法 公开/授权日:2020-04-17