发明公开
- 专利标题: 一种玻璃熔窑用高温高辐射率硅砖及其制备方法
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申请号: CN201810324325.3申请日: 2018-04-12
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公开(公告)号: CN108395261A公开(公告)日: 2018-08-14
- 发明人: 王贵祥 , 潘作付 , 陈卓 , 汤红运 , 万一 , 刘燚
- 申请人: 深圳市凯盛科技工程有限公司 , 中国建材国际工程集团有限公司
- 申请人地址: 广东省深圳市南山区创业路怡海广场东座5楼
- 专利权人: 深圳市凯盛科技工程有限公司,中国建材国际工程集团有限公司
- 当前专利权人: 深圳市凯盛科技工程有限公司,中国建材国际工程集团有限公司
- 当前专利权人地址: 广东省深圳市南山区创业路怡海广场东座5楼
- 代理机构: 安徽省蚌埠博源专利商标事务所
- 代理商 陈俊
- 主分类号: C04B35/66
- IPC分类号: C04B35/66 ; C03B5/43 ; C04B35/14 ; C04B41/87 ; C04B35/64
摘要:
本发明公开一种玻璃熔窑用高温高辐射率硅砖及其制备方法,所述硅砖包括硅砖主体,硅砖主体表面涂覆有纳米红外涂层;硅砖主体包括不同级配的硅质原料、矿化剂、复合添加剂与碳化硅;纳米红外涂层包含硅质高辐射基料、硅微粉,硼化硅、氮化硅、硅溶胶、助剂与去离子水;本硅砖通过配料、混练、成型、干燥、喷涂、表干、烧结一系列步骤制备得到;本发明的硅砖表面覆有一层纳米级高辐射率红外涂层,该涂层经高温烧结后牢固地附于硅砖主体的表面,并部分渗透进硅砖主体,能够显著提高硅砖在高温下的辐射率,强化玻璃窑内辐射传热,实现节能减排效益;另外,致密涂层也可以起到保护硅砖,延长硅砖使用寿命的作用。