- 专利标题: 用于电阻传感器结构的偏置和读出的方法和电路
- 专利标题(英): METHOD AND CIRCUIT FOR BIASING AND READOUT OF RESISTIVE SENSOR STRUCTURE
-
申请号: CN201810111012.X申请日: 2018-02-05
-
公开(公告)号: CN108398142A公开(公告)日: 2018-08-14
- 发明人: J·L·拉曼 , P·龙包茨
- 申请人: 迈来芯电子科技有限公司
- 申请人地址: 瑞士伯韦
- 专利权人: 迈来芯电子科技有限公司
- 当前专利权人: 迈来芯电子科技有限公司
- 当前专利权人地址: 瑞士伯韦
- 代理机构: 上海专利商标事务所有限公司
- 代理商 姬利永; 黄嵩泉
- 优先权: 17154758.1 2017.02.06 EP
- 主分类号: G01D5/16
- IPC分类号: G01D5/16
摘要:
一种偏置和读出具有两个激励节点(A、C)和两个读出节点(B、D)的无源电阻传感器结构(301)的方法,所述方法包括以下步骤:a)确定与第一电荷量(Q1)对应的第一电容器(C1)的第一状态(V1);b)偏置传感器结构使得偏置电流(I偏置)在第一时间间隔(T1)期间流过所述第一电容器(C1),c)确定(430)与第二电荷量(Q2)对应的第一电容器(C1)的第二状态(V2);d)在与第一时间间隔(T1)有关的第二时间间隔(T2)期间,对读出信号积分或求平均,由此获得被积分或被求平均的读出信号(Vi);e)基于被积分或被求平均的读出信号(ΔVi)和第一电容器(C1)的状态变化(ΔV)来确定(440)传感器读出信号(V出)。
公开/授权文献
- CN108398142B 用于电阻传感器结构的偏置和读出的方法和电路 公开/授权日:2021-10-29