• 专利标题: 一种双有源箝位准谐振BOOST全桥拓扑及控制方法
  • 申请号: CN201810399807.5
    申请日: 2018-04-28
  • 公开(公告)号: CN108448903B
    公开(公告)日: 2019-12-20
  • 发明人: 郑泽东刘基业
  • 申请人: 清华大学
  • 申请人地址: 北京市海淀区100084信箱82分箱清华大学专利办公室
  • 专利权人: 清华大学
  • 当前专利权人: 清华大学
  • 当前专利权人地址: 北京市海淀区100084信箱82分箱清华大学专利办公室
  • 代理机构: 北京纪凯知识产权代理有限公司
  • 代理商 徐宁; 孙楠
  • 主分类号: H02M3/335
  • IPC分类号: H02M3/335
一种双有源箝位准谐振BOOST全桥拓扑及控制方法
摘要:
本发明涉及一种双有源箝位准谐振BOOST全桥拓扑及控制方法,其包括由四个主动型的开关管S1‑S4构成的H桥,所述H桥的输入端并联设置有由所述箝位开关管Sax和箝位电容Ca串联构成的箝位支路,以及由所述谐振开关管Sr和谐振电容Cres串联构成的谐振支路;所述升压电感L一端与所述箝位支路输入端连接,另一端与外部电源连接;所述H桥的输出端经所述谐振电感Lr与所述变压器的原边侧连接,在所述变压器原边侧并联设置有所述励磁电感,所述变压器的副边侧与所述整流桥输入端连接,所述整流桥输出端与所述输出整流电容Co并联。本发明实现了整个电路的主动型电力半导体器件在开通和关断过程中的软开关,减小了变换器的损耗,提高了变换器的效率。
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