使用五取代的二硅烷气相沉积含硅膜

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专利标题： 使用五取代的二硅烷气相沉积含硅膜
专利标题（英）： VAPOR DISPOSITION OF SILICON-CONTAINING FILMS USING PENTA-SUBSTITUTED DISILANES
申请号： CN201680076386.1

申请日： 2016-12-16
公开(公告)号： CN108475636A

公开(公告)日： 2018-08-31
发明人: 让-马克·吉拉尔 , 高昌熙 , 伊凡·奥谢普科夫 , 柳田一孝 , 大窪清吾 , 野田直人 , 尤利安·伽蒂诺
申请人： 乔治洛德方法研究和开发液化空气有限公司
申请人地址： 法国巴黎
专利权人： 乔治洛德方法研究和开发液化空气有限公司
当前专利权人： 乔治洛德方法研究和开发液化空气有限公司
当前专利权人地址： 法国巴黎
代理机构： 北京同立钧成知识产权代理有限公司
代理商 李艳; 臧建明
优先权： 14/979,816 2015.12.28 US
国际申请： PCT/IB2016/001962 2016.12.16
国际公布： WO2017/115147 EN 2017.07.06
进入国家日期： 2018-06-26
主分类号： H01L21/316
IPC分类号： H01L21/316 ; C23C16/455 ; H01L21/31

摘要：

披露了使用五取代的二硅烷诸如五卤二硅烷或五(二甲基氨基)二硅烷经由气相沉积工艺在基板上沉积含硅膜的方法。

摘要（英）：

Disclosed are methods of depositing silicon-containing films on substrates via vapor deposition processes using penta-substituted disilanes, such as pentahalodisilane or pentakis(dimethylamino)disilane.

公开/授权文献

CN108475636B 使用五取代的二硅烷气相沉积含硅膜公开/授权日：2023-08-15

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中国专利公布公告 Global Dossier Espacenet

IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00	专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02	.半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04	..至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18	...器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30	....用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的（在半导体材料上制作电极的入H01L21/28）
H01L21/31	.....在半导体材料上形成绝缘层的，例如用于掩膜的或应用光刻技术的（密封层入H01L21/56）；以及这些层的后处理；这些层的材料的选择
H01L21/314	......无机层（H01L21/3105，H01L21/32优先）
H01L21/316	.......由氧化物或玻璃状氧化物或以氧化物为基础的玻璃组成的无机层