Invention Grant
- Patent Title: 等离子体密度的两级调控方法及系统
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Application No.: CN201810354510.7Application Date: 2018-04-19
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Publication No.: CN108521707BPublication Date: 2020-05-26
- Inventor: 聂秋月 , 徐广野 , 张仲麟 , 孔繁荣 , 燕一皓 , 包瑞琪
- Applicant: 哈尔滨工业大学
- Applicant Address: 黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号
- Assignee: 哈尔滨工业大学
- Current Assignee: 哈尔滨工业大学
- Current Assignee Address: 黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号
- Agency: 哈尔滨市松花江专利商标事务所
- Agent 岳昕
- Main IPC: H05H1/00
- IPC: H05H1/00 ; H05H1/46

Abstract:
等离子体密度的两级调控方法及系统,属于等离子体诊断研究技术领域,本发明为解决目前的气体放电型等离子体密度通过传统的单变量控制密度方法出现不准确、不稳定、不及时的问题。本发明方法为:当等离子体实际密度ρ与预设密度ρT的偏差D满足条件|D|>60%ρT时,先采用压电晶体阀控制进气量来对等离子体密度进行粗调;当等离子体实际密度ρ与预设密度ρT的偏差D满足条件20%ρT≤|D|≤60%ρT时,通过调节射频电源功率的方法对等离子体密度进行微调,直至满足条件|D|
Public/Granted literature
- CN108521707A 等离子体密度的两级调控方法及系统 Public/Granted day:2018-09-11
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