发明公开
- 专利标题: 激光掺杂装置和半导体装置的制造方法
-
申请号: CN201680081317.X申请日: 2016-03-24
-
公开(公告)号: CN108604540A公开(公告)日: 2018-09-28
- 发明人: 池上浩 , 诹访辉 , 若林理
- 申请人: 国立大学法人九州大学 , 极光先进雷射株式会社
- 申请人地址: 日本福冈县
- 专利权人: 国立大学法人九州大学,极光先进雷射株式会社
- 当前专利权人: 国立大学法人九州大学,极光先进雷射株式会社
- 当前专利权人地址: 日本福冈县
- 代理机构: 北京三友知识产权代理有限公司
- 代理商 李辉; 黄纶伟
- 国际申请: PCT/JP2016/059338 2016.03.24
- 国际公布: WO2017/163356 JA 2017.09.28
- 进入国家日期: 2018-08-08
- 主分类号: H01L21/228
- IPC分类号: H01L21/228
摘要:
激光掺杂装置具有:溶液供给系统,其对掺杂区域供给包含掺杂剂的溶液;脉冲激光系统,其输出透过溶液且包含多个脉冲的脉冲激光;第一控制部,其控制对掺杂区域照射的脉冲激光的脉冲数和掺杂区域中的脉冲激光的注量;以及第二控制部,其控制溶液的流速,以使得每次照射脉冲时在溶液内所产生的气泡从掺杂区域移开。
公开/授权文献
- CN108604540B 激光掺杂装置和半导体装置的制造方法 公开/授权日:2023-01-13
IPC分类: