发明授权
- 专利标题： 半导体发光装置
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申请号： CN201680079531.1申请日： 2016-12-15
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公开(公告)号： CN108604765B公开(公告)日： 2020-09-08
- 发明人: 川西秀和 , 村山雅洋
- 申请人： 索尼公司
- 申请人地址： 日本东京
- 专利权人： 索尼公司
- 当前专利权人： 索尼公司
- 当前专利权人地址： 日本东京
- 代理机构： 北京康信知识产权代理有限责任公司
- 代理商 余刚; 吴孟秋
- 优先权： 2016-014610 2016.01.28 JP
- 国际申请： PCT/JP2016/087435 2016.12.15
- 国际公布： WO2017/130596 JA 2017.08.03
- 进入国家日期： 2018-07-19
- 主分类号： H01S5/022
- IPC分类号： H01S5/022 ; H01L23/28 ; H01L23/40 ; H01L33/50
摘要：
一种半导体发光装置，设置有：基板；半导体发光元件，设置在基板上并且在通常平行于基板的主面的方向发射光；波长转换元件，布置在半导体发光元件的发光侧上，吸收从半导体发光元件发射的部分光，并且发射具有与所吸收的光的波长不同波长的光；以及保持构件，设置在基板上并且保持波长转换元件。
公开/授权文献
- CN108604765A 半导体发光装置 公开/授权日：2018-09-28
