Invention Grant
- Patent Title: 碳纳米线阵列镶嵌在非晶碳薄膜中的碳纳米线/非晶碳复合膜及其制备
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Application No.: CN201810590512.6Application Date: 2018-06-09
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Publication No.: CN108660427BPublication Date: 2020-03-31
- Inventor: 李红轩 , 王伟奇 , 吉利 , 刘晓红 , 周惠娣 , 陈建敏
- Applicant: 中国科学院兰州化学物理研究所 , 兰州中科凯路润滑与防护技术有限公司
- Applicant Address: 甘肃省兰州市城关区天水中路18号
- Assignee: 中国科学院兰州化学物理研究所,兰州中科凯路润滑与防护技术有限公司
- Current Assignee: 中国科学院兰州化学物理研究所,兰州中科凯路润滑与防护技术有限公司
- Current Assignee Address: 甘肃省兰州市城关区天水中路18号
- Agency: 兰州智和专利代理事务所
- Agent 张英荷
- Main IPC: C23C14/35
- IPC: C23C14/35 ; C23C14/06
Abstract:
本发明公开了一种采用反应磁控溅射沉积技术制备碳纳米线/非晶碳复合薄膜的方法,是以具有催化效应的单金属靶为溅射靶材,以甲烷‑氩气的混合气体为反应气源,利用原位自形成法得到在非晶碳薄膜中镶嵌碳纳米线阵列的具有纳米复合结构的复合薄膜。该复合薄膜具有优异的机械性能,同时也具有良好的场发射性能和柔性,在柔性电子器件领域存在巨大潜在应用前景。本发明通过一步沉积法在非晶碳薄膜中原位自形成碳纳米线结构,其制备过程简单、成膜均匀、重复性好,能耗成本低,特别适用于工业生产中连续、大面积制备柔性场发射电子器件。
Public/Granted literature
- CN108660427A 碳纳米线阵列镶嵌在非晶碳薄膜中的碳纳米线/非晶碳复合膜及其制备 Public/Granted day:2018-10-16
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IPC分类: