Invention Grant
- Patent Title: 基于一阶电路全响应的直流系统对地电容计算方法
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Application No.: CN201810460248.4Application Date: 2018-05-15
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Publication No.: CN108680795BPublication Date: 2020-08-04
- Inventor: 孙海宁 , 陈贺 , 刘尚合 , 胡小锋 , 王欣 , 王永 , 屈国旺 , 董彩宏 , 刘海涛 , 孔江涛 , 王强 , 刘少波 , 陆志远 , 王建 , 李玉峰 , 孙浩 , 王志辉 , 李阳 , 王聪聪
- Applicant: 石家庄科林电气股份有限公司
- Applicant Address: 河北省石家庄市红旗大街南降壁路段(南院)
- Assignee: 石家庄科林电气股份有限公司
- Current Assignee: 石家庄科林电气股份有限公司
- Current Assignee Address: 河北省石家庄市红旗大街南降壁路段(南院)
- Agency: 石家庄众志华清知识产权事务所
- Agent 王苑祥; 聂旭中
- Main IPC: G01R27/26
- IPC: G01R27/26

Abstract:
本发明公开了一种基于一阶电路全响应的直流系统对地电容计算方法,涉及直流电源系统检测技术领域,包括以下步骤:步骤A、在直流系统的直流母线的正负极间建立不平衡桥电路;步骤B、闭合开关K1,得到电容C1的全响应电路;步骤C、闭合开关K2,重复步骤B中的过程在K2闭合后1S和2S各采集一个点联立方程得;步骤D、根据两次开关闭合测出的,代入绝缘电阻计算公式得出对地电阻RX和RY和电容C1和C2的值。本发明通过一阶电路全响应理论构建直流系统电容、不平衡桥模型,通过电容的放电特性,构建直流系统的RC电路,使系统具有复合阻抗;并根据电容两次放电特性建立RC电路的一阶电路全响应模型,并根据电路的时间电容特性曲线计算系统对地电容。
Public/Granted literature
- CN108680795A 基于一阶电路全响应的直流系统对地电容计算方法 Public/Granted day:2018-10-19
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