发明公开
- 专利标题: 使用背景内建自测试的零测试时间存储器
- 专利标题(英): Zero test time memory using background built-in self-test
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申请号: CN201710655025.9申请日: 2017-08-03
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公开(公告)号: CN108694986A公开(公告)日: 2018-10-23
- 发明人: I·阿尔索夫斯基 , E·D·亨特-施罗德 , M·A·齐格霍弗尔
- 申请人: 格罗方德半导体股份有限公司
- 申请人地址: 开曼群岛大开曼岛
- 专利权人: 格罗方德半导体股份有限公司
- 当前专利权人: 格罗方德半导体股份有限公司
- 当前专利权人地址: 开曼群岛大开曼岛
- 代理机构: 北京市中咨律师事务所
- 代理商 牛南辉; 李峥
- 优先权: 15/478666 20170404 US
- 主分类号: G11C29/18
- IPC分类号: G11C29/18 ; G11C29/12
摘要:
本发明涉及使用背景内建自测试的零测试时间存储器。本公开涉及一种结构,包括存储器,其被配置为在读取端口处执行至少一个功能读取操作的同时,能够在读取/写入端口处进行零测试时间内建自测试(BIST)。
公开/授权文献
- CN108694986B 使用背景内建自测试的零测试时间存储器 公开/授权日:2022-03-08