发明公开
- 专利标题: 多晶电介质薄膜及电容元件
- 专利标题(英): POLYCRYSTALLINE DIELECTRIC THIN FILM AND CAPACITANCE ELEMENT
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申请号: CN201810292586.1申请日: 2018-03-30
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公开(公告)号: CN108695062A公开(公告)日: 2018-10-23
- 发明人: 梅田裕二 , 山﨑久美子
- 申请人: TDK株式会社
- 申请人地址: 日本东京都
- 专利权人: TDK株式会社
- 当前专利权人: TDK株式会社
- 当前专利权人地址: 日本东京都
- 代理机构: 北京尚诚知识产权代理有限公司
- 代理商 杨琦
- 优先权: 2017-071084 20170331 JP 2018-013715 20180130 JP
- 主分类号: H01G4/08
- IPC分类号: H01G4/08 ; H01G4/10 ; H01G4/33
摘要:
本发明提供一种多晶电介质薄膜,其中,主成分由通式(M(1)1‑xM(2)x)(M(3)1‑yM(4)y)(O1‑zNz)3所表示的氧氮化物构成。0≦x≦1、0≦y≦1、0<z<1/3。M(1)、M(2)、M(3)及M(4)的形式化合价的总和是14。氧氮化物的晶体结构包含由中心原子、2个4a位原子及4个8h位原子构成的八面体结构。中心原子是M(3)或M(4)。4a位原子是O原子或N原子。8h位原子是O原子或N原子。在八面体结构中,在将连结2个4a位原子的直线和所述晶体结构的c轴方向所成的角设为θ的情况下,0.5°≦θ≦12°。
公开/授权文献
- CN108695062B 多晶电介质薄膜及电容元件 公开/授权日:2020-01-10