发明公开
- 专利标题: 一种具有双重保护的直流偏磁抑制装置及方法
- 专利标题(英): DC bias suppression device with dual protection and DC bias suppression method
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申请号: CN201810834519.8申请日: 2018-07-26
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公开(公告)号: CN108711829A公开(公告)日: 2018-10-26
- 发明人: 马硕 , 蒋元宇 , 徐建源 , 曹辰 , 陈浩然 , 吴冠男 , 王璐 , 易伟 , 王今龙 , 高歌 , 刘一潼 , 王钰潇 , 于高乐 , 宋怡
- 申请人: 沈阳工业大学
- 申请人地址: 辽宁省沈阳市经济技术开发区沈辽西路111号
- 专利权人: 沈阳工业大学
- 当前专利权人: 沈阳工业大学
- 当前专利权人地址: 辽宁省沈阳市经济技术开发区沈辽西路111号
- 代理机构: 沈阳东大知识产权代理有限公司
- 代理商 李运萍
- 主分类号: H02H7/04
- IPC分类号: H02H7/04 ; H02H7/16
摘要:
本发明属于变压器的直流偏磁技术保护领域,具体涉及一种具有双重保护的直流偏磁抑制装置及方法。所述装置包括:变压器中性线接地开关K1、隔直流开关K2、隔直流电容器C、保护间隙回路、晶体管保护回路、氧化锌避雷器R、旁路保护开关K3、第一电流互感器CT1、第二电流互感器CT2、信号调理单元、控制单元和驱动单元。所述方法包括:1)进行直流分量检测;2)检测到的直流分量与阈值进行比较,做出相应动作;3)进行交流电流检测;4)检测到的交流电流与阈值进行比较,做出相应动作;4)判断各项动作能否正常进行,做出相应动作;5)交流电网故障解除后,系统归位,返回步骤1。
公开/授权文献
- CN108711829B 一种具有双重保护的直流偏磁抑制装置及方法 公开/授权日:2023-10-27