- 专利标题: 一种纯增强型MOS管无静态功耗的上电复位电路
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申请号: CN201810298681.2申请日: 2018-04-04
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公开(公告)号: CN108768362B公开(公告)日: 2021-11-23
- 发明人: 谢芳
- 申请人: 上海申矽凌微电子科技有限公司
- 申请人地址: 上海市闵行区虹梅南路2588号1幢A320室
- 专利权人: 上海申矽凌微电子科技有限公司
- 当前专利权人: 上海申矽凌微电子科技股份有限公司
- 当前专利权人地址: 200241 上海市闵行区紫星路588号2幢366室
- 代理机构: 上海段和段律师事务所
- 代理商 郭国中
- 主分类号: H03K17/22
- IPC分类号: H03K17/22 ; H03K17/687
摘要:
本发明提供了一种纯增强型MOS管无静态功耗的上电复位电路,包括依次连接的:电源检测锁存部分、反相延时部分以及与非门部分;电源检测锁存部分的PMOS管M105与NMOS管M106的栅极相互连接作为第一节点,漏极相互连接作为第二节点;PMOS管M101的漏极、PMOS管M104的漏极以及电容C107的一端分别连接第一节点,NMOS管M103的漏极通过分压器件连接第一节点,NMOS管M103的栅极连接与非门部分,PMOS管M101的栅极接地,PMOS管M104的栅极连接第二节点,第一节点还连接反相延时部分,第二节点连接反相延时部分。本发明电路简单有效,工艺层次简单,布版图的面积小,成本低,电路工作一致性好,实现了静态无功耗。
公开/授权文献
- CN108768362A 一种纯增强型MOS管无静态功耗的上电复位电路 公开/授权日:2018-11-06
IPC分类: