本发明公开一种接触孔的外形结构，其中，提供一半导体结构，半导体结构包括衬底，衬底上依次沉积第一氮化层、第一氧化层、第二氮化层及第二氧化层；于半导体结构上形成接触孔，包括第一区段、第二区段、第三区段及第四区段；第一区段沿斜坡自上而下位于第二氧化层的上端口与下端口之间；第二区段沿斜坡自上而下位于第二氮化层的上端口与下端口之间，第二区段的上端开口与第一区段的下端开口相同；第三区段位于第一氧化层的上部与中部之间，第三区段为弧形结构，弧形结构向第三区段的两侧突出；第四区段位于第一氧化层的中部与第一氮化层的下端口之间。有益效果在于：改变接触孔的外形结构，间接降低了接触孔的深宽比，进而避免产生空洞现象。