Invention Publication
- Patent Title: 用于硅光子学中的III-V芯片的宽带后视镜
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Application No.: CN201780018613.XApplication Date: 2017-02-08
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Publication No.: CN108886236APublication Date: 2018-11-23
- Inventor: 达米安·兰贝特
- Applicant: 斯考皮欧技术有限公司
- Applicant Address: 美国新墨西哥州
- Assignee: 斯考皮欧技术有限公司
- Current Assignee: 斯考皮欧技术有限公司
- Current Assignee Address: 美国新墨西哥州
- Agency: 北京博思佳知识产权代理有限公司
- Agent 林祥
- Priority: 62/292,633 20160208 US 62/292,675 20160208 US 62/292,636 20160208 US 15/426,823 20170207 US 15/426,366 20170207 US 15/426,375 20170207 US
- International Application: PCT/US2017/016994 2017.02.08
- International Announcement: WO2017/139364 EN 2017.08.17
- Date entered country: 2018-09-19
- Main IPC: H01S5/183
- IPC: H01S5/183 ; H01S5/22 ; H01L21/768
Abstract:
半导体激光器具有形成于增益芯片中的反射镜。可以将所述反射镜置于所述增益芯片中以提供宽带反射器，从而使用所述增益芯片支持多个激光器。所述反射镜也可以置于所述增益芯片中，以通过改变所述半导体激光器的增益的光程长度来使所述半导体激光器更高效或更强大。
Public/Granted literature
- CN108886236B 用于硅光子学中的III-V芯片的宽带后视镜 Public/Granted day:2022-02-25
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