发明授权
CN108897075B 一种基于硅球及光子晶体负折射效应的亚波长成像器件
失效 - 权利终止
摘要:
本发明提出了一种基于硅球及光子晶体负折射效应的亚波长成像器件,包括纵向布置的硅球和光子晶体;硅球放置在光子晶体的底边的下方;硅球的下方放置光源;光源输出的光线入射到硅球下表面,经过硅球的一次亚波长成像后,在硅球的上表面形成亚波长聚焦光斑,亚波长聚焦光斑向外扩散,依次从光子晶体的底边和斜边经过负折射后,负折射光束汇聚到光子晶体斜边外的一点,形成亚波长成像点。本发明基于硅球与光子晶体负折射效应的亚波长成像组合器件主要是光子晶体和硅球的参数设置,可得到半宽小于0.3λ的亚波长成像。整个器件体积小巧,固定该器件之后,整个成像过程中也不需要人为调整任何参数设置,操作简单且性能稳定可靠。
公开/授权文献
- CN108897075A 一种基于硅球及光子晶体负折射效应的亚波长成像器件 公开/授权日:2018-11-27
IPC分类:
G | 物理 |
G02 | 光学 |
G02B | 光学元件、系统或仪器 |
G02B1/00 | 按制造材料区分的光学元件;用于光学元件的光学涂层 |