- 专利标题: 基于OFDR的硅光芯片温度测量装置及方法
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申请号: CN201811060836.5申请日: 2018-09-12
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公开(公告)号: CN108917974B公开(公告)日: 2023-08-11
- 发明人: 王辉文 , 张晓磊 , 温永强
- 申请人: 武汉昊衡科技有限公司
- 申请人地址: 湖北省武汉市东湖新技术开发区东信路SBI创业街1栋9层02室
- 专利权人: 武汉昊衡科技有限公司
- 当前专利权人: 武汉昊衡科技有限公司
- 当前专利权人地址: 湖北省武汉市东湖新技术开发区东信路SBI创业街1栋9层02室
- 代理机构: 湖北武汉永嘉专利代理有限公司
- 代理商 许美红
- 主分类号: G01K11/00
- IPC分类号: G01K11/00
摘要:
本发明公开了一种基于OFDR的硅光芯片温度测量装置及方法,其中装置包括线性扫频激光器、光纤分束器、光纤环形器、硅光芯片、模斑变换器、光纤耦合器、光电探测器、数据采集卡和计算机。本发明的测量方法基于光频域反射技术,将待测硅光芯片本身作为传感器,光通过特殊结构的模斑变换器进出芯片。温度的变化会引起芯片瑞利散射光谱移动,移动量通过测量瑞利散射光谱(温度变化后)与参考光谱(原始温度)互相关运算得到。互相关峰偏离值为移动量,对应于温度变化量。该测量方式具有空间分辨率高、精度高的特点,解决了传统传感手段传感器布设复杂、测量结果易受外界影响等问题,特别适用于微小硅光芯片温度测量。
公开/授权文献
- CN108917974A 基于OFDR的硅光芯片温度测量装置及方法 公开/授权日:2018-11-30