- 专利标题: 介质阻挡层及其制造方法、互连结构及其制造方法
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申请号: CN201710392032.4申请日: 2017-05-27
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公开(公告)号: CN108962875B公开(公告)日: 2021-01-29
- 发明人: 邓浩
- 申请人: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 , 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
- 申请人地址: 上海市浦东新区张江路18号
- 专利权人: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司,中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
- 当前专利权人: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司,中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
- 当前专利权人地址: 上海市浦东新区张江路18号
- 代理机构: 上海思微知识产权代理事务所
- 代理商 屈蘅; 李时云
- 主分类号: H01L23/538
- IPC分类号: H01L23/538 ; H01L21/768
摘要:
本发明提供一种介质阻挡层及其制造方法、互连结构及其制造方法,所述介质阻挡层包括依次层叠的未掺杂的第一金属化合物层、掺杂的第二金属化合物层和未掺杂的第三金属化合物层,能够提供更好的粘附性和互连金属扩散阻挡能力,获得较低的线电阻和良好的电迁移性能。利用原子层沉积形成未掺杂的第一金属化合物层,并采用物理气相沉积形成所述未掺杂的第三金属化合物层,从而提供更好的覆盖性能和粘附力,降低对覆盖表面的损伤,同时为后续刻蚀工艺提供更好地刻蚀停止层效果。在掺杂的第二金属化合物层和未掺杂的第三金属化合物层之间增加一含有键合物质的粘附层,可以在后续经历退火后,大大增强粘附性。
公开/授权文献
- CN108962875A 介质阻挡层及其制造方法、互连结构及其制造方法 公开/授权日:2018-12-07
IPC分类: