本发明涉及一种三维片状纳米线的制备方法，该三维片状纳米线为Zn5(OH)8Cl2·H2O@In纳米线，以锌片、铟源为前驱体，以硫源为辅助剂，通过控制溶剂热的温度和时间制备出硫化物包裹的铟纳米线，将所制备的硫化锌包裹的铟纳米线用盐酸腐蚀,烘干，即可得到结晶性优良的三维片状纳米线，其表面的Zn5(OH)8Cl2·H2O超薄纳米片具有良好的结晶性。本发明方法简单可控，重复性高，有利于大批量制备；能通过氧化/硫化等二次处理转化为Zn5(OH)8Cl2·H2O@In2O3(In2S3)半导体异质结，从而提升Zn5(OH)8Cl2·H2O材料的光电性能并进一步拓展其在气敏等其他领域的应用。