发明公开
- 专利标题: 一种碳纳米管阵列的制备方法
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申请号: CN201710424233.8申请日: 2017-06-07
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公开(公告)号: CN108996490A公开(公告)日: 2018-12-14
- 发明人: 刘亮 , 蔡琪 , 郑秋秋
- 申请人: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
- 申请人地址: 北京市海淀区清华大学清华-富士康纳米科技研究中心401室
- 专利权人: 清华大学,鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
- 当前专利权人: 清华大学,鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
- 当前专利权人地址: 北京市海淀区清华大学清华-富士康纳米科技研究中心401室
- 主分类号: C01B32/162
- IPC分类号: C01B32/162
摘要:
本发明涉及一种碳纳米管阵列的制备方法,其包括以下步骤:提供一包括至少一个通孔的基底,将该基底的两个表面分别定义为第一表面和第二表面,所述通孔贯穿第一表面和第二表面;将催化剂沉积在所述基底的第一表面;在保护气体的环境下,加热所述基底至碳纳米管阵列的生长温度,通过一通气元件将碳源气通至所述基底的第二表面,所述碳源气经由所述基底的通孔与所述催化剂接触在该基底的第一表面生长碳纳米管阵列;停止通入碳源气,改变所述基底的温度至一预定温度,通过所述通气元件将氧气或含氧气的混合气体通至所述基底的第二表面,所述氧气或含氧气的混合气体经由所述基底的通孔与所述碳纳米管阵列接触并反应。