发明公开
- 专利标题: 包括上部圆顶的半导体工艺室
- 专利标题(英): SEMICONDUCTOR PROCESS CHAMBER INCLUDING UPPER DOME
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申请号: CN201810567895.5申请日: 2018-06-05
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公开(公告)号: CN109003914A公开(公告)日: 2018-12-14
- 发明人: 朴金锡 , 金傔 , 金利桓 , 金善政 , 朴判贵 , 柳廷昊
- 申请人: 三星电子株式会社
- 申请人地址: 韩国京畿道
- 专利权人: 三星电子株式会社
- 当前专利权人: 三星电子株式会社
- 当前专利权人地址: 韩国京畿道
- 代理机构: 北京市柳沈律师事务所
- 代理商 张波; 翟然
- 优先权: 10-2017-0070659 2017.06.07 KR
- 主分类号: H01L21/67
- IPC分类号: H01L21/67
摘要:
半导体工艺室包括基座、围绕基座的基底板、在基底板的内侧壁上的衬垫、以及在基座与基底板之间且与基座共面的预热环。工艺室还包括联接到基底板并覆盖基座的上表面的上部圆顶。上部圆顶包括在基底板的上表面上的第一部分和从第一部分延伸并交叠基座的第二部分。第一部分包括在基底板的上表面上的第一区域、从第一区域延伸超过基底板的第二区域、以及从第二区域以减小的厚度延伸以接触第二部分的第三区域。
公开/授权文献
- CN109003914B 包括上部圆顶的半导体工艺室 公开/授权日:2023-09-19