发明授权
- 专利标题： 一种生长CsI(Tl)晶体的石英坩埚
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申请号： CN201811109294.6申请日： 2018-09-21
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公开(公告)号： CN109023504B公开(公告)日： 2020-11-10
- 发明人: 陈若富 , 石国柱 , 沈爱花
- 申请人： 中国科学院近代物理研究所
- 申请人地址： 甘肃省兰州市城关区南昌路509号5号楼
- 专利权人： 中国科学院近代物理研究所
- 当前专利权人： 中国科学院近代物理研究所
- 当前专利权人地址： 甘肃省兰州市城关区南昌路509号5号楼
- 代理机构： 北京众合诚成知识产权代理有限公司
- 代理商 夏艳
- 主分类号： C30B11/00
- IPC分类号： C30B11/00 ; C30B29/12
摘要：
本发明提供一种生长CsI(Tl)晶体的石英坩埚，属于核检测、国土安全、军事领域。本发明按照晶体生长方法中的自然淘汰原理，对晶体生长所用的石英坩埚的底部形状和整体外形进行整体设计，得到外部尺寸和内部尺寸都有特殊要求的大尺寸石英坩埚。本发明与传统方式相比，生产出的大尺寸CsI(Tl)/CsI闪烁晶体，成品率/良品率较高，与其他厂商使用的在坩埚内部喷涂一层特殊材料相比，方法工艺相对简单，成本较低。
公开/授权文献
- CN109023504A 一种生长CsI(Tl)晶体的石英坩埚 公开/授权日：2018-12-18