Invention Grant
CN109037464B 量子点发光层、量子点发光器件及其制备方法
失效 - 权利终止
- Patent Title: 量子点发光层、量子点发光器件及其制备方法
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Application No.: CN201810833743.5Application Date: 2018-07-26
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Publication No.: CN109037464BPublication Date: 2020-06-23
- Inventor: 周青超 , 杨盛际 , 陈小川
- Applicant: 京东方科技集团股份有限公司
- Applicant Address: 北京市朝阳区酒仙桥路10号
- Assignee: 京东方科技集团股份有限公司
- Current Assignee: 京东方科技集团股份有限公司
- Current Assignee Address: 北京市朝阳区酒仙桥路10号
- Agency: 北京三高永信知识产权代理有限责任公司
- Agent 杨广宇
- Main IPC: H01L51/50
- IPC: H01L51/50 ; H01L51/56
Abstract:
本发明公开了量子点发光层、量子点发光器件及其制备方法,属于液晶显示领域。该制备方法包括:提供磁性量子点和磁性阵列基板;在磁性阵列基板的磁力作用下,使分散于溶剂中的磁性量子点吸附在溶剂中的衬底上;除去溶剂,在衬底上形成阵列化的量子点发光层。采用外部磁场来对具有磁性的量子点发光材料进行定向分布,使其聚集在与磁区对应的位置,仅通过提供磁性量子点和磁性阵列基板即可实现量子点发光层阵列化,并且,其操作简单,量子点材料利用率高,对于规模化推广量子点材料的阵列化具有重要的意义。
Public/Granted literature
- CN109037464A 量子点发光层、量子点发光器件及其制备方法 Public/Granted day:2018-12-18
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