发明授权
- 专利标题： 使用FET对的双轨电路
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申请号： CN201680085278.0申请日： 2016-07-17
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公开(公告)号： CN109075791B公开(公告)日： 2023-06-20
- 发明人: M·R·杜伦 , R·C·布鲁克斯
- 申请人： 惠普发展公司 , 有限责任合伙企业
- 申请人地址： 美国德克萨斯州
- 专利权人： 惠普发展公司,有限责任合伙企业
- 当前专利权人： 惠普发展公司,有限责任合伙企业
- 当前专利权人地址： 美国德克萨斯州
- 代理机构： 中国专利代理(香港)有限公司
- 代理商 张健; 陈岚
- 国际申请： PCT/US2016/042691 2016.07.17
- 国际公布： WO2018/017035 EN 2018.01.25
- 进入国家日期： 2018-10-31
- 主分类号： H03K19/094
- IPC分类号： H03K19/094
摘要：
示例实现方式涉及使用FET对的双轨电路。例如，根据本公开的电路可以包括耦合到双轨电路的第一场效应晶体管(FET)对、耦合到所述双轨电路的第二FET对以及耦合到所述第一FET对和所述第二FET对的控制器。所述控制器可以使用所述第一FET对和所述第二FET对来切换电源到所述双轨电路。所述双轨电路可以将电源从耦合到所述第一FET对的第一电源或耦合到所述第二FET对的第二电源提供到计算设备。
公开/授权文献
- CN109075791A 使用FET对的双轨电路 公开/授权日：2018-12-21
IPC分类:
