本发明提供了一种制备高性能MnZn铁氧体的In(Cd，Ga)、Ni、Ti、Co离子联合替代方法。在选定的主成分中，添加包含Ni、Ti、Co一种或多种的副成分；添加包含In、Cd、Ga元素一种或多种的副成分；添加包含Ca、Si元素一种或多种的副成分。通过In、Cd、Ga、Ni、Ti、Co等离子的四元、五元或者六元等多元离子联合替代，利用各离子对主成分的影响以及离子间的相互作用，制备得到的MnZn铁氧体材料在25℃下饱和磁通密度高于530mT，在100℃下高于440mT，适用温度范围＞150℃，在10mT、100℃、3MHz的测试条件下，其功率损耗低于45kWm‑3，在10mT、100℃、5MHz的测试条件下，其功率损耗低于80kWm‑3，初始磁导率高于850，在20～120℃范围内，损耗随温度的变化不超过50％。